Notícies

Dummy hosté la paraula "dummy" significa "fals" o "simulada ." hòsties maniquí, també conegudes com a hòsties falses, normalment no tenen patró o n...

El procés EPI (epitaxi) és una tecnologia clau de creixement de materials en la fabricació de semiconductors. Epitaxia una capa de silici de silici...

El substrat és la base física del dispositiu i determina la viabilitat i el cost del creixement epitaxial. La capa epitaxial és el nucli funcional ...

Des dels primers processos CMOS plans fins a FINFETS avançats, els substrats de tipus P continuen utilitzant-se àmpliament en el disseny de circuit...

· El substrat és la base física del dispositiu i determina la viabilitat i el cost del creixement epitaxial.
· La capa epitaxial és el nucli fun...

En la fabricació de semiconductors i la ciència dels materials, l’orientació del cristall de les hòsties de silici (com ara<100>, <110>, <111>) té ...

Finalitat de l'aprimament de les hòsties

Per què dopar? Quins són els mètodes de dopatge? Quin és el paper del dopatge?

Quines són les orientacions de cristall de les hòsties de silici?
Quantes vores de posicionament hi ha?
Com es posiciona la vora de posiciona...

L’aprimament de l’hòstia és un pas clau en la fabricació de semiconductors, i el seu propòsit principal és complir els requisits del rendiment del ...

Silicon (SI) és un material fonamental de la indústria de semiconductors i la seva tecnologia de processament és crucial per al desenvolupament de ...

Mecanisme del creixement de la pel·lícula de nitrur de silici Equació de creixement de LPCVD: L’equació per al creixement de PECVD és: A partir de ...