Introducció del producte i aplicació de l'arsenur de gal·li

L'arsenur de gal·li, amb la fórmula química GaAs, és un semiconductor compost del grup III-V. Està compost per arsènic i gal·li. Té un aspecte gris brillant, una brillantor metàl·lica i és fràgil i dur. Els materials semiconductors compostos, amb característiques superiors com ara alta freqüència, alta mobilitat d'electrons, alta potència de sortida, baix soroll i bona linealitat, són un dels materials de suport més importants per a les indústries optoelectròniques i microelectròniques.
A nivell d'aplicació a la indústria optoelectrònica, els cristalls simples de GaAs es poden utilitzar per fabricar LD (làsers), LED (díodes emissors de llum), circuits integrats optoelectrònics (OEIC) i dispositius fotovoltaics.
A nivell d'aplicació a la indústria de la microelectrònica, es pot utilitzar per fabricar MESFET (Transistor d'efecte de camp semiconductor metàl·lic), HEMT (Transistor d'alta mobilitat electrònica), HBT (Transistor bipolar heterojunction), IC, díode de microones, dispositiu Hall, etc.
Implica principalment aplicacions electròniques militars d'alta gamma, sistemes de comunicació de fibra òptica, sistemes de comunicació sense fils per satèl·lit de banda ampla, instruments de prova, electrònica d'automòbil, làsers, il·luminació i altres camps. Com a material semiconductor important, la mobilitat electrònica del GaAs és cinc vegades la del silici i el nitrur de gal·li. S'utilitza en dispositius de microones de potència petita i mitjana amb menor pèrdua de potència. Per tant, s'utilitza en comunicacions de telèfon mòbil, xarxes sense fil d'àrea local, GPS i radar d'automòbil. dominant en.