Actualització de l'inventari d'hòsties de silici de 4,6,8 polzades_20240311 SOI

Mar 12, 2024 Deixa un missatge

LOT	PRODUCTE	DIÀMETRE	CRISTAL	TIPUS	DOPANT	ORIENTACIÓ	GROSSOR	RESISTIVITAT
G8P131	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Dispositiu: 55±7,5 nm, 8~12 ohm.cm / Caixa: 145±10nm, osca<110>
C19404-3-2	SOI	200	CZ	NA	NA	100	725±15	>750	Dispositiu: 210~230nm, 8~12 ohm.cm / Caixa: 2950~3050nm
G8P238S	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Dispositiu: 200~240nm, 8~12 ohm.cm / Caixa: 1950~2050nm
G8P217	SOI	200	CZ	NA	NA	100	725±15	>750	Dispositiu: 210~230nm, P<100>, 8~12 ohm.cm / Caixa: 1950~2050nm
G8P500	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Dispositiu: 500 ± 50 nm / Caixa: 2950 ~ 3050 nm, orientació de l'osca<110>
G8P600	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Dispositiu: 600 ± 60 nm / Caixa: 2950 ~ 3050 nm, orientació de l'osca<110>
G8P340	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Dispositiu: 340 ± 25 nm / Caixa: 2900 ~ 3100 nm, orientació de l'osca<110>
G8P288	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	>1000	Dispositiu: 145±12.5nm, 8~12 ohm.cm / Caixa: 400±25nm, Osca<110>
G8M107	SOI	200	CZ	N	Ph	100	725±15	0.3~1.2	Dispositiu: 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 ohm-cm / Caixa: 950~1050nm, Osca<100>
230300058	SOI	150	CZ	P	B	100	450±5	1~10	Dispositiu: 15μm±0,5μm P 0.{01~0,02 / Caixa: 5μm±5%, DSP
1511032	SOI	100	CZ	N		100	475±25	NA	Dispositiu: 20μm±0,5 N 0,001~0,02 / Caixa: 15μm±3%
G8N70	SOI	200	CZ	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositiu: 70μm±5% / Caixa: 1000nm±5%
G8K00318	SOI	200	CZ	P	B	100	625±10	>1000	Dispositiu: 1,5±0,5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8.5~11.5	Dispositiu: 1250±100nm / Caixa: 400±40nm
112301	SOI	100	CZ	N	Sb	100	300	0.005~0.025	Dispositiu: 30μm / Caixa: 0,5μm
G6P163S	SOI	150	CZ	P	B	100	675±15	10~20	Dispositiu: 200~240nm, 10~20 ohm.cm / Caixa: 2850~3150nm