Descripció del producte
CZ Silicon Wafer és un substrat de silici d'alta qualitat utilitzat en la producció de dispositius avançats de semiconductors. El mètode CZ (Czochralski) s'utilitza per fabricar aquestes hòsties de silici, assegurant un alt nivell de puresa i uniformitat. Aquest tipus d'hòstia de silici té un rendiment elèctric superior i una baixa densitat de defectes, la qual cosa la converteix en una opció ideal per a una àmplia gamma d'aplicacions de semiconductors.
CZ Silicon Wafer és coneguda per la seva excel·lent planitud, qualitat superficial i orientació cristal·logràfica. Aquestes qualitats permeten la producció de dispositius semiconductors d'alt rendiment amb una fiabilitat i eficiència superiors. El mètode CZ permet la producció d'hòsties de diàmetre més gran que altres tècniques, com ara el mètode de la zona flotant, que pot comportar un augment del rendiment i uns costos de producció més baixos.
A més, les hòsties de silici CZ són altament personalitzables, amb especificacions que es poden adaptar per satisfer els requisits específics de diferents aplicacions de semiconductors. Això els converteix en una solució versàtil per als fabricants que busquen produir dispositius electrònics avançats amb un rendiment i fiabilitat superiors.
En general, CZ Silicon Wafer és un substrat d'alta qualitat adequat per a una àmplia gamma d'aplicacions de semiconductors. Les seves propietats elèctriques superiors, la baixa densitat de defectes i l'alt nivell de puresa la converteixen en una opció ideal per als fabricants que busquen produir dispositius electrònics d'avantguarda.
|
Creixement |
CZ, MCZ, FZ |
|
Grau |
Prime, Test, Dummy, etc. |
|
Diàmetre |
També són possibles altres diàmetres, com ara 10 mm, 12,7 mm, 1,5 ", 35 mm, 40 mm, 2,5" |
|
Gruix |
50 ~ 3000um |
|
Acabar |
Com tallat, lligat, gravat, SSP, DSP, etc |
|
Orientació |
(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) etc. |
|
Tall fora |
Fins a 4 graus |
|
Tipus/Dopant |
P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, intrínsec |
|
Resistivitat |
FZ: fins a 20k ohm-cm |
|
CZ/MCZ: de 0,001 a 150 ohm-cm |
|
|
Pel·lícules primes |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo, etc. |
|
* PECVD: Òxid, Nitrur, SiC, etc. |
|
|
* Hòsties epitaxials de silici i serveis epitaxials (SOS, GaN, GOI, etc.). |
|
|
Processos |
DSP, ultra prim, ultra pla, etc. |
|
Reducció de mida, mòlta posterior, tallat a daus, etc. |
|
|
MEMS |
Imatge del producte
Per què escollir-nos
Els nostres productes provenen exclusivament dels cinc principals fabricants del món i de les principals fàbriques nacionals. Amb el suport d'equips tècnics nacionals i internacionals altament qualificats i mesures de control de qualitat estrictes.
El nostre objectiu és oferir als clients un suport integral i individual, garantint canals de comunicació fluids, professionals, oportuns i eficients. Oferim una quantitat mínima de comanda baixa i garantim un lliurament ràpid en 24 hores.
Mostra de fàbrica
El nostre ampli inventari consta de 1000+ productes, cosa que garanteix que els clients puguin fer comandes per tan sols una peça. Els nostres equips propis per tallar daus i esmolar, i la cooperació total en la cadena industrial global ens permeten un enviament ràpid per garantir la satisfacció i comoditat del client.
El nostre certificat
La nostra empresa s'enorgulleix de les diferents certificacions que hem obtingut, com ara el nostre certificat de patent, el certificat ISO9001 i el certificat d'empresa nacional d'alta tecnologia. Aquestes certificacions representen la nostra dedicació a la innovació, la gestió de la qualitat i el compromís amb l'excel·lència.
Etiquetes populars: hòstia de silici cz, fabricants de hòsties de silici cz de la Xina, proveïdors, fàbrica
