Oxidació tèrmica de plaques de siliciés un procés en el qual es forma una capa de diòxid de silici a la superfície d'una hòstia de silici a alta temperatura. Aquest procés s'utilitza àmpliament en la fabricació de dispositius semiconductors i microelectrònica.
Durant el procés, la hòstia de silici es col·loca en un forn i s'escalfa a alta temperatura en presència d'oxigen o vapor d'aigua. A mesura que augmenta la temperatura, l'oxigen o vapor d'aigua reacciona amb els àtoms de silici de la superfície de l'hòstia, formant una capa de diòxid de silici.
El gruix de la capa d'òxid es pot controlar ajustant la temperatura i la durada del procés. La capa d'òxid resultant té una superfície llisa i una puresa elevada, que és essencial per a la producció de dispositius semiconductors d'alta qualitat.
El procés d'oxidació tèrmica és un pas crític en la producció de dispositius semiconductors, ja que proporciona una capa protectora que pot prevenir la contaminació i millorar la fiabilitat i el rendiment dels dispositius. A més, la capa d'òxid pot actuar com a aïllant, permetent la creació de diferents regions de material semiconductor amb diferents propietats elèctriques.
En resum, l'oxidació tèrmica de les hòsties de silici és un procés crucial en la fabricació de dispositius semiconductors i microelectrònica. Proporciona una capa d'òxid uniforme i d'alta qualitat que millora el rendiment i la fiabilitat dels dispositius i permet la creació de diferents regions de material semiconductor amb diferents propietats elèctriques.