A la indústria dels semiconductors, les hòsties de silici s'utilitzen freqüentment en la producció de nombrosos dispositius electrònics, inclosos microxips, transistors i díodes. S'utilitzen diferents tècniques de fabricació per generar diferents tipus d'hòsties de silici. Les hòsties CZ, FZ i NTD són les tres varietats més populars d'hòsties de silici.
Les hòsties CZ es creen mitjançant el mètode de creixement Czochralski. Aquest mètode consisteix a fondre un cristall de silici i tirar-lo lentament cap amunt mentre el gira al mateix temps. El procés CZ crea hòsties d'alta qualitat que són relativament barates de produir. Les hòsties CZ s'utilitzen àmpliament en la fabricació de dispositius electrònics quotidians.
Les hòsties FZ, en canvi, es creen mitjançant el mètode de la zona flotant. Aquest mètode consisteix a fondre un cristall de silici i refredar-lo lentament mentre es crea un cristall d'alta qualitat. Les hòsties FZ són molt més cares que les hòsties CZ a causa de la naturalesa precisa i complexa del seu procés de producció. Les hòsties FZ s'utilitzen en la producció de dispositius d'alt rendiment com ara cèl·lules solars i components electrònics d'alta potència.
Les hòsties NTD (Neutron Transmutation Doping) es creen introduint el cristall de silici en un reactor i irradiant-lo amb neutrons per crear una alta concentració d'impureses. Les hòsties NTD tenen distribucions d'impureses molt uniformes, cosa que les fa aptes per al seu ús en aplicacions endurides per radiació com ara sistemes aeroespacials i de defensa.
En resum, cada varietat d'hòsties de silici posseeix característiques diferents que les fan adequades per a diferents usos. Les hòsties NTD s'utilitzen per a aplicacions endurides per radiació, les hòsties FZ s'utilitzen per a dispositius d'alt rendiment i les hòsties CZ són econòmiques i s'utilitzen habitualment en dispositius electrònics diaris. A la indústria dels semiconductors, els tres tipus d'hòsties són essencials per a la creació i fabricació de productes tecnològics que milloren la vida.